半導体光機能素子
文献类型：专利
| 作者 | 小野 卓宏; 石川 卓哉 |
| 发表日期 | 1999-01-29 |
| 专利号 | JP1999026871A |
| 著作权人 | FURUKAWA ELECTRIC CO LTD:THE |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体光機能素子 |
| 英文摘要 | 【課題】 垂直方向及び水平方向の双方の方向にモードフィールドの大きな半導体光能動素子を提供する。 【解決手段】 本半導体光能動素子10は、InP基板12上に順次に成膜された、InPバッファ層14、InGaAsP第2導波層16、InP下部第1クラッド層18、InGaAsP第1導波層20、InPの下部第2クラッド層22、InGaAsPの活性層24、InP上部クラッド層26、及びInGaAsのコンタクト層28を備えている。下部第1クラッド層は、層厚が0μm〜4.0μm であって、第2導波層から上方に離れるにつれて幅が対称的に縮小し、第1導波層及び下部第2クラッド層は下部第2クラッド層の縮小した上面と同じ4〜5μm の幅になっている。下部第2クラッド層、第1導波層及び下部第2クラッド層の両側にはInPの電流ブロック層30が形成されている。活性層は1〜5μm の幅で長手方向に延在し、かつ長手方向両端部でテーパ状に幅が縮小している。 |
| 公开日期 | 1999-01-29 |
| 申请日期 | 1997-07-09 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/88275]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | FURUKAWA ELECTRIC CO LTD:THE |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 小野 卓宏,石川 卓哉. 半導体光機能素子. JP1999026871A. 1999-01-29. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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