化合物半導体発光素子
文献类型：专利
| 作者 | 細羽弘之; 須山尚宏; ▲吉▼田 智彦; 兼岩 進治; 近藤 雅文; 幡 俊雄; 大林 健 |
| 发表日期 | 1999-10-19 |
| 专利号 | JP1999289109A |
| 著作权人 | シャープ株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 化合物半導体発光素子 |
| 英文摘要 | 【課題】 電気的特性及び光学特性の良好な化合物半導体発光素子を提供する【解決手段】 化合物半導体発光素子において、N型GaN層と、該N型GaN層の上に形成されたGa1-xAlxNからなるN型クラッド層と、該N型クラッド層の上に形成された活性層を備える。また、N型GaN層と、該N型GaN層の上に形成されたGa1-xAlxNからなるN型クラッド層と、該N型クラッド層の上に形成されたGa1-xAlxNからなる活性層とを備え、前記N型クラッド層もしくは活性層は、Inの材料ガスを同時に供給して成長させたInxGayAl1-x-yN (0≦x,y≦1)として形成する。 |
| 公开日期 | 1999-10-19 |
| 申请日期 | 1992-03-03 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/88278]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | シャープ株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 細羽弘之,須山尚宏,▲吉▼田 智彦,等. 化合物半導体発光素子. JP1999289109A. 1999-10-19. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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