半導体レーザ素子
文献类型：专利
| 作者 | 奥村 敏之; 厚主 文弘; 森岡 達也; 松本 成人 |
| 发表日期 | 1994-04-08 |
| 专利号 | JP1994097596A |
| 著作权人 | シャープ株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体レーザ素子 |
| 英文摘要 | 【目的】 信頼性がよく、かつ高速応答が可能な素子を歩留まりよく得ることのできる半導体レーザ素子を提供する。 【構成】 リッジ部が、第2の導電型の上部クラッド層6と第2の導電型のキャップ層11とから形成されている。InGaAsP層からなる多重量子井戸活性層(3、4)とガイド層(2、5)とはエッチングされていない。この活性層(3、4)はガイド層(2、5)に囲まれており、大気にさらされることがない。絶縁膜9および耐熱性高抵抗樹脂膜10が、電流狭窄を行っている。 |
| 公开日期 | 1994-04-08 |
| 申请日期 | 1993-02-26 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/88281]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | シャープ株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 奥村 敏之,厚主 文弘,森岡 達也,等. 半導体レーザ素子. JP1994097596A. 1994-04-08. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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