半導体レーザ
文献类型：专利
| 作者 | 渡辺 昌規 |
| 发表日期 | 1995-12-22 |
| 专利号 | JP1995335973A |
| 著作权人 | SHARP CORP |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体レーザ |
| 英文摘要 | 【目的】 活性層116から自然放出される光を高い反射率で活性層側に反射して、自然放出光のフォトンリサイクルを効果的に行うことができ、しかも該反射を行う全反射層114,121を抵抗増大のない単純な構造とでき、これにより、製造プロセスの複雑化を招くことなく、電流利用効率の高効率化を図った半導体レーザ101を提供する。 【構成】 活性層116上下のクラッド層115,118の外側に、屈折率が該クラッド層の屈折率より小さい全反射層114,121を該クラッド層に接触させて配設した。 |
| 公开日期 | 1995-12-22 |
| 申请日期 | 1994-06-10 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/88286]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | SHARP CORP |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 渡辺 昌規. 半導体レーザ. JP1995335973A. 1995-12-22. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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