半導体レーザの製造方法
文献类型：专利
| 作者 | 村井 仁; 松井 康浩 |
| 发表日期 | 1998-08-07 |
| 专利号 | JP1998209557A |
| 著作权人 | OKI ELECTRIC IND CO LTD |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体レーザの製造方法 |
| 英文摘要 | 【課題】 活性層エッチング用SiO2 マスクをセルフ·アライメントにより簡単に形成するとともに、メサ形状は基板の結晶面方位·メサ方向に依存しないように構成し、容易に、しかも安定した工程を施すことができる半導体レーザの製造方法を提供する。 【解決手段】 メサ構造の半導体レーザの製造方法において、p-InPクラッド層3上に形成されるメサ形成用の第1のSiO2 マスク5上に薄い活性層エッチング用の第2のSiO2 マスク6を形成する工程と、ドライエッチングにより、メサ·ストライプと前記第2のSiO2 マスク6を一括で形成する工程とを施す。 |
| 公开日期 | 1998-08-07 |
| 申请日期 | 1997-01-21 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/88296]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | OKI ELECTRIC IND CO LTD |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 村井 仁,松井 康浩. 半導体レーザの製造方法. JP1998209557A. 1998-08-07. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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