Semiconductor light emitting element
文献类型：专利
| 作者 | OTA, HIROYUKI; WATANABE, ATSUSHI |
| 发表日期 | 1994-02-09 |
| 专利号 | EP0487822B1 |
| 著作权人 | PIONEER ELECTRONIC CORPORATION |
| 国家 | 欧洲专利局 |
| 文献子类 | 授权发明 |
| 其他题名 | Semiconductor light emitting element |
| 英文摘要 | A semiconductor light emitting element with a high light-emitting efficiency, which is constituted in such a way that, of the composition of its GaN and AlN epitaxial layer, part of N is substituted by P, thus ensuring good lattice-matching with the substrate crystal, ZnO. |
| 公开日期 | 1994-02-09 |
| 申请日期 | 1991-06-25 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/88302]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | PIONEER ELECTRONIC CORPORATION |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | OTA, HIROYUKI,WATANABE, ATSUSHI. Semiconductor light emitting element. EP0487822B1. 1994-02-09. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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