半導体レーザ素子
文献类型：专利
| 作者 | 大久保 典雄 |
| 发表日期 | 1997-08-19 |
| 专利号 | JP1997219557A |
| 著作权人 | 古河電気工業株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体レーザ素子 |
| 英文摘要 | 【課題】 活性層にInGaAs歪み量子井戸を用い、CODを抑制した高出力の素子を提供する。 【解決手段】 GaAs基板1上に、AlGaAsクラッド層3、InGaAs歪量子井戸層を有する活性層6およびAlGaAsクラッド層9を順次積層してなる半導体レーザ素子において、前記活性層6に隣接してGaAsP障壁層5、7を設ける。 |
| 公开日期 | 1997-08-19 |
| 申请日期 | 1996-02-08 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/88305]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 古河電気工業株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 大久保 典雄. 半導体レーザ素子. JP1997219557A. 1997-08-19. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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