半導体レーザ
文献类型：专利
| 作者 | 佐々木 善浩 |
| 发表日期 | 2000-06-23 |
| 专利号 | JP2000174394A |
| 著作权人 | NEC CORP |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体レーザ |
| 英文摘要 | 【課題】 量子井戸層への光の閉じこめ係数を低く抑えた低ロスの半導体レーザにおいても、光フィールドをn型クラッド層側にシフトさせ、p型クラッド層内での価電子帯間吸収を極力抑えた高出力可能な半導体レーザを提供することを目的とする。 【解決手段】 半導体基板101上に、p型クラッド層102とn型クラッド層104とにはさまれた歪多重量子井戸103を有する半導体レーザであって、n型クラッド層104の内部に、少なくとも1層からなる光フィールド制御層5を有し、この光フィールド制御層5の屈折率が、n型クラッド層104の屈折率よりも大きく、かつ光フィールド制御層5のバンドギャップエネルギーが、レーザ発振光のエネルギーより大きいことを特徴とする半導体レーザ。 |
| 公开日期 | 2000-06-23 |
| 申请日期 | 1998-12-02 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/88318]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | NEC CORP |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 佐々木 善浩. 半導体レーザ. JP2000174394A. 2000-06-23. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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