半導体レーザ及びその製造方法
文献类型：专利
| 作者 | 松川 健一; 林 伸彦 |
| 发表日期 | 1994-06-10 |
| 专利号 | JP1994164062A |
| 著作权人 | 三洋電機株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体レーザ及びその製造方法 |
| 英文摘要 | 【目的】 平坦な活性層の発光領域を備え、活性層の下層側に電流狭窄機能を有する電流ブロック層を備える半導体レーザ及びその製造方法を提供すること、【構成】 p型GaAsの基板1中央にp-Al0.38Ga0.62Asの第1p-クラッド層が形成されており、この第1p-クラッド層2を埋め込む様態にて、基板1上にn-GaAsのブロック層3が積層されている。前記第1p-クラッド層2及びブロック層3の上に第2p-クラッド層4が積層されており、前記第1p-クラッド層2及びブロック層3の表面は、第1p-クラッド層2及びその近傍で面一となっている。第2p-クラッド層4上には、Al0.12Ga0.88Asの活性層5,n-Al0.38Ga0.62Asのn-クラッド層6及びn-GaAsのキャップ層7が積層されている。そして、ブロック層3に対応するキャップ層7及びn-クラッド層6の上部の領域に、プロトンが注入されて注入部7aが形成されている。 |
| 公开日期 | 1994-06-10 |
| 申请日期 | 1992-11-20 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/88319]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 三洋電機株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 松川 健一,林 伸彦. 半導体レーザ及びその製造方法. JP1994164062A. 1994-06-10. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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