窓付き半導体レーザ
文献类型：专利
| 作者 | 吉田 多見男; 重定 頼和 |
| 发表日期 | 1993-09-10 |
| 专利号 | JP1993235471A |
| 著作权人 | SHIMADZU CORP |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 窓付き半導体レーザ |
| 英文摘要 | 【目的】 製造プロセスが簡単で電流ブロック層の窓パターン通りに電流狭窄や端面非注入領域を実現できる半導体レーザを提供する。 【構成】 半導体積層基板7内に形成された2つのクラッド層3,4で活性層1を挟んだダブルヘテロ型の半導体レーザにおいて、半導体積層基板7の上方より上記活性層1の中央1aを除く部分1bに、酸素イオンを窓パターン状にイオン注入させることによって高抵抗化した窓部2を形成した構造となっている。 |
| 公开日期 | 1993-09-10 |
| 申请日期 | 1992-02-25 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/88331]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | SHIMADZU CORP |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 吉田 多見男,重定 頼和. 窓付き半導体レーザ. JP1993235471A. 1993-09-10. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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