半導体レーザ
文献类型：专利
| 作者 | 中沢 伯人; 村田 浩一 |
| 发表日期 | 1993-02-12 |
| 专利号 | JP1993037080A |
| 著作权人 | 旭硝子株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体レーザ |
| 英文摘要 | (修正有) 【目的】半導体レーザの端面近傍でのレーザ光吸収による発熱を防止する。 【構成】基板1上に第1クラッド層2、活性層3、第2クラッド層4、キャップ層5を順次形成した半導体レーザにおいて、レーザ光が端面近傍で、第1クラッド層または第2クラッド層を通るような段差構造を基板にあらかじめ設けておく。 |
| 公开日期 | 1993-02-12 |
| 申请日期 | 1991-07-29 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/88346]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 旭硝子株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 中沢 伯人,村田 浩一. 半導体レーザ. JP1993037080A. 1993-02-12. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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