化合物半導体装置の製造方法及びその製造装置
文献类型：专利
| 作者 | 大家 彰; 百瀬 正之; 後藤 順; 右田 雅人; 山本 立春 |
| 发表日期 | 1995-02-14 |
| 专利号 | JP1995045538A |
| 著作权人 | HITACHI LTD |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 化合物半導体装置の製造方法及びその製造装置 |
| 英文摘要 | 【目的】p型伝導層のキャリア濃度を従来以上に高めることのできる化合物半導体の製造方法及びそれを実現する製造装置を得ること。 【構成】例えばII-VI族化合物半導体レ-ザを製造するに際して、MBE装置では、p型伝導層を形成する第1の成長室2と、n型伝導層を形成する第2の成長室3と、活性層を形成する第3の成長室4とを備え、これら各室が高真空に保持される共にゲートバルブ7、8、9を介して搬送室5で接続され、互いに独立した異なる成長室を構成し、各室をGaAs基板が順次移動することによって基板上に必要な化合物半導体薄膜を積層する。これによってp型伝導層におけるドナー性不純物によるキャリアの補償を防ぎ、p型クラッド層(さらにはp型ガイド層)のキャリア濃度を1×1018cm~3以上とすることができ、室温、低電圧で連続発振可能な青、緑色領域の半導体レ-ザが実現できる。 |
| 公开日期 | 1995-02-14 |
| 申请日期 | 1993-07-29 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/88348]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | HITACHI LTD |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 大家 彰,百瀬 正之,後藤 順,等. 化合物半導体装置の製造方法及びその製造装置. JP1995045538A. 1995-02-14. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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