半導体装置の製造方法
文献类型：专利
| 作者 | 西村 隆司 |
| 发表日期 | 1998-05-15 |
| 专利号 | JP1998126001A |
| 著作权人 | MITSUBISHI ELECTRIC CORP |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体装置の製造方法 |
| 英文摘要 | 【課題】 良好な選択エッチングと、選択成長用のマスクによるストレスの少ない選択成長とを行うことができる半導体装置の製造方法を提供すること。 【解決手段】 第1の絶縁膜4aと,第2の絶縁膜6とが積層されてなるマスクを用いて上クラッド層3の表面から下クラッド層1に達する深さまでウエットエッチングを行うとともに、第2の絶縁膜6のみをバッファードフッ酸を用いて選択的に除去した後、第1の絶縁膜4aのみをマスクとして、エッチングにより露出した面にInP電流ブロック層8を選択成長させるようにした。 |
| 公开日期 | 1998-05-15 |
| 申请日期 | 1996-10-21 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/88354]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | MITSUBISHI ELECTRIC CORP |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 西村 隆司. 半導体装置の製造方法. JP1998126001A. 1998-05-15. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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