半導体レーザの製造方法
文献类型：专利
| 作者 | 原 義博; 伴 雄三郎; 粂 雅博; 石橋 明彦; 上村 信行; 長谷川 義晃 |
| 发表日期 | 1998-03-10 |
| 专利号 | JP1998070335A |
| 著作权人 | 松下電器産業株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体レーザの製造方法 |
| 英文摘要 | 【課題】 レーザチップを損傷させることなく高い歩留まりで個々のレーザチップに分割する方法を提供する。 【解決手段】 半導体結晶の基板202側より、ストライプと垂直方向には発光領域の下部を避けた破線状の溝211を形成する。またストライプと平行な方向には連続した溝211をエッチングにより形成する。この溝に沿って刃を当て力を加えて半導体結晶を劈開する。これにより六方晶基板でも互いに垂直な方向に劈開することができる。 |
| 公开日期 | 1998-03-10 |
| 申请日期 | 1996-08-08 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/88356]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 松下電器産業株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 原 義博,伴 雄三郎,粂 雅博,等. 半導体レーザの製造方法. JP1998070335A. 1998-03-10. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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