自励発振型半導体レーザの製造方法
文献类型：专利
| 作者 | 小林 隆二; 堀田 等 |
| 发表日期 | 1997-07-31 |
| 专利号 | JP1997199789A |
| 著作权人 | 日本電気株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 自励発振型半導体レーザの製造方法 |
| 英文摘要 | 【課題】 しきい値電流の上昇を抑え、信頼性の高い自励発振型半導体レーザを歩留まり良く容易に作製できる製造方法を実現すること。 【解決手段】 第1導電型GaAs基板上に、第1導電型AlInPまたはAlGaInPクラッド層、活性層、第2導電型AlInPまたはAlGaInPクラッド層を順次結晶成長させ、ダブルヘテロ構造を作製する工程と、ダブルヘテロ構造上に絶縁膜を堆積させ、選択的にエッチングしてストライプ状のマスクを形成する工程と、マスクを用いて第2導電型クラッド層を途中まで選択的にエッチングし、該第2導電型クラッド層にリッジを形成する工程と、マスクが搭載された状態で、リッジが形成された第2導電型クラッド層上に更に半導体層を積層させ、該リッジ構造を該半導体層に埋め込む選択埋め込み成長を行う工程と、電流が注入されるリッジ直下を除く活性層に半導体層間での不純物の拡散を用いて不純物を添加する工程と、を有する。 |
| 公开日期 | 1997-07-31 |
| 申请日期 | 1996-01-19 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/88361]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 日本電気株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 小林 隆二,堀田 等. 自励発振型半導体レーザの製造方法. JP1997199789A. 1997-07-31. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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