窒化物系III-V族化合物半導体層の成長方法、半導体装置の製造方法および半導体発光素子の製造方法
文献类型：专利
| 作者 | 奥山 浩之; 中村 文彦; 中島 博 |
| 发表日期 | 2000-06-16 |
| 专利号 | JP2000164512A |
| 著作权人 | ソニー株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 窒化物系III-V族化合物半導体層の成長方法、半導体装置の製造方法および半導体発光素子の製造方法 |
| 英文摘要 | 【課題】 キャリア濃度が高く、低抵抗なp型窒化物系III-V族化合物半導体層を得ることができる窒化物系III-V族化合物半導体層の成長方法および半導体装置の製造方法、ならびに、キャリア濃度が高く、低抵抗なp型窒化物系III-V族化合物半導体層を得ることができ、動作電圧が低く、かつ、高発光効率の窒化物系III-V族化合物半導体を用いた半導体発光素子を実現することができる半導体発光素子の製造方法を提供する。 【解決手段】 p型窒化物系III-V族化合物半導体層31を化学気相成長法により成長させる場合に、p型不純物と酸素とを同時にドープすると共に、成長原料のV/III比を6000以下、好適には5000以下にする。 |
| 公开日期 | 2000-06-16 |
| 申请日期 | 1998-11-26 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/88366]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | ソニー株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 奥山 浩之,中村 文彦,中島 博. 窒化物系III-V族化合物半導体層の成長方法、半導体装置の製造方法および半導体発光素子の製造方法. JP2000164512A. 2000-06-16. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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