双安定半導体レーザ
文献类型：专利
| 作者 | 植之原 裕行; 岩村 英俊; 津田 裕之; 黒川 隆志 |
| 发表日期 | 1993-01-22 |
| 专利号 | JP1993013867A |
| 著作权人 | 日本電信電話株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 双安定半導体レーザ |
| 英文摘要 | 【目的】 双安定半導体レーザのスイッチング動作における波長感度依存性を緩和し、2次元アレーの構成が容易で、かつ可飽和吸収領域への注入光の結合効率が高く、レンズやファイバなどの位置合わせの許容度が大きい双安定半導体レーザを提供する。 【構成】 活性層22をクラッド層21,23で挾んで構成した利得領域1A,2Aと可飽和吸収領域5Aとを有し、レーザ部10A,10B,10Cと交差する光導波路2A,2Bに2次回折格子13A,13Bまたは45度ミラー40をモノリシックに形成する。可飽和吸収領域への注入光の結合効率を高くでき、しかもまたレンズやファイバなどの位置合わせの許容度を大きくすることができる。 |
| 公开日期 | 1993-01-22 |
| 申请日期 | 1991-07-01 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/88372]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 日本電信電話株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 植之原 裕行,岩村 英俊,津田 裕之,等. 双安定半導体レーザ. JP1993013867A. 1993-01-22. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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