半導体レーザとその製造方法
文献类型：专利
| 作者 | 岡 聡彦; 山下 茂雄; 黒田 崇郎; 小野 佑一 |
| 发表日期 | 1993-09-03 |
| 专利号 | JP1993226772A |
| 著作权人 | HITACHI LTD |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体レーザとその製造方法 |
| 英文摘要 | 【構成】p型InP基板7上に、InGaAsP活性層5とn型InPクラッド層4を結晶成長した後、InGaAsP活性層5の下面まで一致する深さまで、或いは下面より0.2μm 以内の深さまでエッチングを行いメサを形成し、半絶縁性InPブロック層6とn型InP埋込層3で埋め込む。 【効果】メサの直列抵抗が低減されるため、レーザ発振時における電流ブロック層にかかる電圧も小さい。従って、電流ブロック層を流れるリーク電流が小さくなり、低閾値で、高効率の半導体レーザが得られる。 |
| 公开日期 | 1993-09-03 |
| 申请日期 | 1992-02-17 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/88376]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | HITACHI LTD |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 岡 聡彦,山下 茂雄,黒田 崇郎,等. 半導体レーザとその製造方法. JP1993226772A. 1993-09-03. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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