半導体レーザ
文献类型：专利
| 作者 | 内田 徹 |
| 发表日期 | 1995-05-19 |
| 专利号 | JP1995131109A |
| 著作权人 | FUJITSU LTD |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体レーザ |
| 英文摘要 | 【目的】 III-V族半導体で構成し歪緩和用のバッファ層を設けてバンドオフセットを改善した半導体レーザに関し、活性層の膜厚ゆらぎの増大を防止するために活性層の平坦化を図る。 【構成】 活性層5が III-V族半導体混晶で、基板1が III-V族半導体結晶であり、基板1上に基板1と異なる格子定数となるように格子緩和するバッファ層2を有し、バッファ層2と活性層5の間にクラッド層3とその上のガイド層4が介在する半導体レーザであって、ガイド層4がInGaAsPであり、その厚さD(μm )が、 D≧(L-1)/4 〔L:クラッド層3に生じる起伏の間隔(μm )〕であることを特徴とする。また、ガイド層4は、P組成が0.25以下であることを特徴とする。 |
| 公开日期 | 1995-05-19 |
| 申请日期 | 1993-11-05 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/88386]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | FUJITSU LTD |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 内田 徹. 半導体レーザ. JP1995131109A. 1995-05-19. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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