半導体レーザ素子および光結合装置
文献类型：专利
| 作者 | 西川 透; 宇野 智昭; 東門 元二; 鬼頭 雅弘 |
| 发表日期 | 1997-11-04 |
| 专利号 | JP1997289354A |
| 著作权人 | 松下電器産業株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体レーザ素子および光結合装置 |
| 英文摘要 | 【課題】 基板対して水平方向にスポット径が大きくかつ低閾値電流、高出力を発生可能な半導体レーザ素子を提供する。 【解決手段】 n型InP基板101上にn型InGaAsP閉じ込め層102、多重量子井戸活性層103、p型InGaAsP閉じ込め層104、p型InPクラッド層105がメサ状に形成されており、共振器方向に対してストライプ状である。これらの両側は電流ブロック層106、107で埋め込まれている。このレーザの活性層103を含むストライプ114の幅は、共振器方向に対して変化している。前端面付近の領域Aにおけるストライプ幅W1は、光導波路を伝搬する光のスポット径と同程度に設定されている。後端面から距離Lまでの領域Cにおけるストライプ幅W2は、横モード単一発振するように設定されている。また、領域Bではストライプ幅はテーパ状に連続的に変化している。これにより基板に対して水平方向にスポット径が大きく、低閾値電流、高出力の半導体レーザ素子が実現できる。 |
| 公开日期 | 1997-11-04 |
| 申请日期 | 1996-04-19 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/88387]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 松下電器産業株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 西川 透,宇野 智昭,東門 元二,等. 半導体レーザ素子および光結合装置. JP1997289354A. 1997-11-04. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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