半導体発光素子
文献类型：专利
| 作者 | 中村 孝夫; 松原 秀樹 |
| 发表日期 | 2001-01-19 |
| 专利号 | JP2001015813A |
| 著作权人 | 住友電気工業株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体発光素子 |
| 英文摘要 | 【課題】 発光効率を増加させることができるように改良された半導体発光素子を提供することを主要な目的とする。 【解決手段】 基板の上に発光層が設けられている。発光層の上にp型半導体層24が設けられている。p型半導体層24の上に上部電極が設けられている。上部電極は、2以上の異種の層10a,10bからなる積層構造を有する。 |
| 公开日期 | 2001-01-19 |
| 申请日期 | 1999-06-28 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/88391]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 住友電気工業株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 中村 孝夫,松原 秀樹. 半導体発光素子. JP2001015813A. 2001-01-19. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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