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半導体レーザ装置の製造方法、及びそれを用いて製造した光モジュール並びに光応用システム

文献类型:专利

作者篠田 和典; 内野 正市; 青木 雅博
发表日期1999-04-23
专利号JP1999112105A
著作权人HITACHI LTD
国家日本
文献子类发明申请
其他题名半導体レーザ装置の製造方法、及びそれを用いて製造した光モジュール並びに光応用システム
英文摘要【課題】 本発明は回折格子を有する半導体レーザ装置の製造方法に関し、特に量産性再現性に優れた位相シフト型回折格子を有する半導体レーザ装置の製造方法を提供することを目的とする。 【解決手段】 レーザ干渉露光法において、現像液を変えることでポジ型としてもネガ型としても機能し得るレジストを用いることにより、途中で位相の反転する回折格子の量産性·再現性に優れた製造方法を開示する。 【効果】 容易な手法で単一モード発振歩留まりの高い分布帰還型半導体レーザを実現できる。
公开日期1999-04-23
申请日期1997-10-03
状态失效
源URL[http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/88397]  
专题半导体激光器专利数据库
作者单位HITACHI LTD
推荐引用方式
GB/T 7714
篠田 和典,内野 正市,青木 雅博. 半導体レーザ装置の製造方法、及びそれを用いて製造した光モジュール並びに光応用システム. JP1999112105A. 1999-04-23.

入库方式: OAI收割

来源:西安光学精密机械研究所

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