選択MOCVD成長法による成膜方法
文献类型：专利
| 作者 | 板垣 卓士; 竹見 政義; 早藤 紀生 |
| 发表日期 | 1996-10-11 |
| 专利号 | JP1996264454A |
| 著作权人 | MITSUBISHI ELECTRIC CORP |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 選択MOCVD成長法による成膜方法 |
| 英文摘要 | 【目的】 半導体光導波路構造等の一括選択成長中において各構成層毎の成長速度増大度を制御できる選択MOCVD成長法による成膜方法を提供する。 【構成】 マスク1を分割するスリット部3を設け、このスリット部3での(111)B面成長による成長自己停止機能、およびその前後の成長時間における実効マスク幅の変化を利用して、成長速度増大度の成長時間変化を生み出す。成長開始から、スリット部3での成長断面形状が二等辺三角形となり、成長が自己停止するまでの間はスリット部3による成長種の消費があるため、従来のマスクで成長した場合に比べ成長速度増大度が低く抑制される。この間、下クラッド層の成長が行われ、完了する。更に、スリット部3での成長自己停止後、マスク開口部2においてMQW導波路層、上クラッド層の成長が、従来のスリットのないマスクを用いた場合と同様の成長速度増大度で行われる。 |
| 公开日期 | 1996-10-11 |
| 申请日期 | 1995-03-27 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/88408]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | MITSUBISHI ELECTRIC CORP |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 板垣 卓士,竹見 政義,早藤 紀生. 選択MOCVD成長法による成膜方法. JP1996264454A. 1996-10-11. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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