半導体光素子の製造方法
文献类型：专利
| 作者 | 川崎 和重; 鴫原 君男 |
| 发表日期 | 2011-09-02 |
| 专利号 | JP4813009B2 |
| 著作权人 | 三菱電機株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 授权发明 |
| 其他题名 | 半導体光素子の製造方法 |
| 英文摘要 | 【課題】素子の信頼性を格段に向上できる半導体光素子およびその製造方法を提供する。 【解決手段】n型GaAs等の基板1の上に、順次、Al0.3Ga0.7As等のn型クラッド層2、GaAs等のガイド層3、In0.14Ga0.86As等の量子井戸層4、GaAs等のバリア層5、In0.14Ga0.86As等の量子井戸層6、GaAs等のガイド層7、Al0.3Ga0.7As等のp型クラッド層8aを、MOCVD等を用いてエピタキシャル成長させた後、熱処理の際にAs元素の抜けを防止するために絶縁膜10を形成し、次に、窒素雰囲気で800℃以上の炉温に保たれたアニール炉に投入して、約30分間の熱処理を施すことで、エピタキシャル成長層間の歪みが緩和される。 【選択図】 図1 |
| 公开日期 | 2011-11-09 |
| 申请日期 | 2003-04-15 |
| 状态 | 授权 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/88411]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 三菱電機株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 川崎 和重,鴫原 君男. 半導体光素子の製造方法. JP4813009B2. 2011-09-02. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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