半導体レーザ装置
文献类型：专利
| 作者 | 内藤 由美; 大枝 靖雄; 藤本 毅 |
| 发表日期 | 1999-06-18 |
| 专利号 | JP1999163459A |
| 著作权人 | MITSUI CHEM INC |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体レーザ装置 |
| 英文摘要 | 【課題】 フリーキャリア吸収を低減して内部損失を低く抑えることによって、高効率な半導体レーザ装置を提供する。 【解決手段】 活性層6の両面側に、活性層6の禁制帯幅以上の禁制帯幅を有するn型およびp型の光導波層4、8がそれぞれ設けられ、活性層6および光導波層4、8を挟むように、光導波層4、8の禁制帯幅以上の禁制帯幅を有するn型およびp型のクラッド層3、9がそれぞれ設けられ、活性層6と光導波層4、8との間に、活性層6および光導波層4、8の各禁制帯幅以上の禁制帯を有するキャリアブロック層5、7が設けられ、n型光導波層4の屈折率がp型光導波層8の屈折率より大きく形成される。 |
| 公开日期 | 1999-06-18 |
| 申请日期 | 1997-11-26 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/88417]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | MITSUI CHEM INC |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 内藤 由美,大枝 靖雄,藤本 毅. 半導体レーザ装置. JP1999163459A. 1999-06-18. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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