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半導体レーザ素子

文献类型:专利

作者栗林 均; 松原 邦雄; 進藤 洋一
发表日期1996-08-30
专利号JP1996222796A
著作权人FUJI ELECTRIC CO LTD
国家日本
文献子类发明申请
其他题名半導体レーザ素子
英文摘要(修正有) 【目的】レーザ光の可干渉性が低くく、戻り光ノイズの発生が少ないマルチモードスペクトルの半導体レーザ素子を提供する。 【構成】第一導電型のGaAs基板のへき開面に垂直な一主面上に、この主面に平行に、第一導電型のAlx Ga1-x Asからなる第1クラッド層, Al yGa1-yAs (1>x>y>0)からなる活性層、第1導電型とは逆の導電型である第2導電型のAlx Ga1-x Asからなる第2クラッド層とが順に積層され、第2クラッド層には2分割されている第1導電型のGaAs電流阻止層およびこれら2つの電流阻止層によって密着して挟まれる第2導電型のAlx Ga1-x Asからなる第3クラッド層 (ストライプ) が設けられている半導体レーザ素子において、前記第3クラッド層の主面に平行な断面はへき開面とへき開面の法線に対し斜めな線で囲まれた平行四辺形である。
公开日期1996-08-30
申请日期1995-02-09
状态失效
源URL[http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/88426]  
专题半导体激光器专利数据库
作者单位FUJI ELECTRIC CO LTD
推荐引用方式
GB/T 7714
栗林 均,松原 邦雄,進藤 洋一. 半導体レーザ素子. JP1996222796A. 1996-08-30.

入库方式: OAI收割

来源:西安光学精密机械研究所

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