半導体レーザ素子
文献类型:专利
作者 | 栗林 均; 松原 邦雄; 進藤 洋一 |
发表日期 | 1996-08-30 |
专利号 | JP1996222796A |
著作权人 | FUJI ELECTRIC CO LTD |
国家 | 日本 |
文献子类 | 发明申请 |
其他题名 | 半導体レーザ素子 |
英文摘要 | (修正有) 【目的】レーザ光の可干渉性が低くく、戻り光ノイズの発生が少ないマルチモードスペクトルの半導体レーザ素子を提供する。 【構成】第一導電型のGaAs基板のへき開面に垂直な一主面上に、この主面に平行に、第一導電型のAlx Ga1-x Asからなる第1クラッド層, Al yGa1-yAs (1>x>y>0)からなる活性層、第1導電型とは逆の導電型である第2導電型のAlx Ga1-x Asからなる第2クラッド層とが順に積層され、第2クラッド層には2分割されている第1導電型のGaAs電流阻止層およびこれら2つの電流阻止層によって密着して挟まれる第2導電型のAlx Ga1-x Asからなる第3クラッド層 (ストライプ) が設けられている半導体レーザ素子において、前記第3クラッド層の主面に平行な断面はへき開面とへき開面の法線に対し斜めな線で囲まれた平行四辺形である。 |
公开日期 | 1996-08-30 |
申请日期 | 1995-02-09 |
状态 | 失效 |
源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/88426] ![]() |
专题 | 半导体激光器专利数据库 |
作者单位 | FUJI ELECTRIC CO LTD |
推荐引用方式 GB/T 7714 | 栗林 均,松原 邦雄,進藤 洋一. 半導体レーザ素子. JP1996222796A. 1996-08-30. |
入库方式: OAI收割
来源:西安光学精密机械研究所
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