半導体発光素子の製造方法
文献类型：专利
| 作者 | 佐々木 和明; 山本 修 |
| 发表日期 | 2000-05-19 |
| 专利号 | JP3067937B2 |
| 著作权人 | シャープ株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 授权发明 |
| 其他题名 | 半導体発光素子の製造方法 |
| 英文摘要 | 【目的】 半導体レーザ素子の特性を改善する。 【構成】 p型またはn型のうち一方の導電型を持つ基板1の表面に、p型またはn型のうち他方の導電型を持つ電流狭窄層2を備える。電流狭窄層2には、基板1の表面に対して垂直方向に電流通路を形成するための貫通溝2bが設けられている。貫通溝2bは基板1の端面に対して垂直方向に延びる帯状のパターンをなしている。貫通溝2b内に上記一方の導電型を持つ第3のクラッド層8が埋め込まれ、かつ、第3のクラッド層8の表面と電流狭窄層2の表面とが同一平面をなしている。第3のクラッド層8および電流狭窄層2上に、ダブルヘテロ構造をなす第1のクラッド層3、活性層4および第2のクラッド層5を備える。 |
| 公开日期 | 2000-07-24 |
| 申请日期 | 1994-02-15 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/88429]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | シャープ株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 佐々木 和明,山本 修. 半導体発光素子の製造方法. JP3067937B2. 2000-05-19. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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