歪超格子の混晶化法
文献类型：专利
| 作者 | 鈴木 安弘; 野口 悦男; 曲 克明; 三上 修 |
| 发表日期 | 1993-04-09 |
| 专利号 | JP1993090714A |
| 著作权人 | NIPPON TELEGR & TELEPH CORP |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 歪超格子の混晶化法 |
| 英文摘要 | 【目的】 混晶化領域に不純物を導入することなく、クラッド層を成長した後に、ウエハ面内の一部を短時間熱処理することにより、で容易に歪超格子を光化する方法を提供することにある。 【構成】 歪超格子層を含んだ半導体素子の上に、SiO2などの誘電体膜を装荷し、水素などの還元雰囲気中で 590℃〜640 ℃で最大60分の熱処理を行う歪超格子の結晶化法である。 |
| 公开日期 | 1993-04-09 |
| 申请日期 | 1991-09-30 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/88434]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | NIPPON TELEGR & TELEPH CORP |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 鈴木 安弘,野口 悦男,曲 克明,等. 歪超格子の混晶化法. JP1993090714A. 1993-04-09. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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