半導体レーザ
文献类型：专利
| 作者 | 奥山 浩之; 秋本 克洋 |
| 发表日期 | 1993-01-29 |
| 专利号 | JP1993021892A |
| 著作权人 | ソニー株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体レーザ |
| 英文摘要 | 【目的】 InP基体を用いて短波長発光レーザを構成する。 【構成】 InP基体上にクラッド層2,3と、活性層4とをエピタキシャル成長させ、そのクラッド層2,3をMgZnCdSe系のII-VI族化合物半導体によって構成する。 |
| 公开日期 | 1993-01-29 |
| 申请日期 | 1991-07-15 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/88436]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | ソニー株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 奥山 浩之,秋本 克洋. 半導体レーザ. JP1993021892A. 1993-01-29. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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