半導体レーザ素子及びその製造方法
文献类型：专利
| 作者 | 大櫃 義徳; 宮嵜 啓介; 藤井 良久 |
| 发表日期 | 2005-05-13 |
| 专利号 | JP3676965B2 |
| 著作权人 | シャープ株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 授权发明 |
| 其他题名 | 半導体レーザ素子及びその製造方法 |
| 英文摘要 | 【課題】 再成長時にp型クラッド層の不純物が拡散し、n型に反転してしまい、プロファイルが一定しない。 【解決手段】 n型の半導体基板上に、少なくとも、n型の第1クラッド層と、活性層と、p型の第2クラッド層とが積層され、上記第2クラッド層上に、ストライプ状かつ溝状の欠損部を有するn型の電流阻止層が積層され、上記ストライプ状の欠損部を含む上記電流阻止層上に少なくともp型の第3クラッド層が形成された半導体レーザ素子であって、上記第2クラッド層はCの不純物濃度がp型の3×1017cm-3〜2×1018cm-3であることを特徴としている。 |
| 公开日期 | 2005-07-27 |
| 申请日期 | 2000-06-28 |
| 状态 | 授权 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/88444]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | シャープ株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 大櫃 義徳,宮嵜 啓介,藤井 良久. 半導体レーザ素子及びその製造方法. JP3676965B2. 2005-05-13. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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