半導体レーザ素子およびその製造方法
文献类型：专利
| 作者 | 西川 孝司 |
| 发表日期 | 1998-05-06 |
| 专利号 | JP1998117036A |
| 著作权人 | MATSUSHITA ELECTRIC IND CO LTD |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体レーザ素子およびその製造方法 |
| 英文摘要 | 【課題】 単一横モード発振が可能な半導体レーザ素子に関するものである。 【解決手段】II-VI 族系結晶からなる活性層と該活性層の厚み方向上下に積層されたII-VI 族系結晶からなる厚み方向導波層とを、GaAs基板上に積層してなる半導体レーザ素子において、上記基板上面から活性層に至る下側の厚み方向導波層のいずれかの位置に、電流通路となる開口部を設けたII-VI 族系結晶よりなる横方向光閉じ込め層を積層した構成とする。これによって、実屈折率型の単一横モードの半導体レーザ素子を構成することができるとともに、上記横方向光閉じ込め層に電流狭窄機能をも待たすことが可能となる。 |
| 公开日期 | 1998-05-06 |
| 申请日期 | 1996-10-11 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/88447]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | MATSUSHITA ELECTRIC IND CO LTD |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 西川 孝司. 半導体レーザ素子およびその製造方法. JP1998117036A. 1998-05-06. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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