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文献类型：专利
| 作者 | OOTSUKA NAOTAKA |
| 发表日期 | 1992-07-30 |
| 专利号 | JP1992046476B2 |
| 著作权人 | SHARP KK |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 授权发明 |
| 其他题名 | - |
| 英文摘要 | PURPOSE:To reduce the astigmatic difference by providing a P-type GaAs light- absorbing layer between an N-type GaAs current constriction layer and a P-type GaAlAs cladding layer. CONSTITUTION:On a P-type GaAs substrate 11, an N-type GaAs current constriction layer 12a, a P-type GaAs light-absorbing layer 12b, a P-type GaAlAs cladding layer 13, a P-type GaAlAs active layer 14, an N-type GaAlAs cladding layer 15, and an N-type GaAs cap layer 16 are laminated by liquid -phase growth or vapor deposition technique. Accordingly, even if the laser, for example, of 870nm wavelength is fabricated, the light generated in the P-type GaAlAs active layer 14 is more absorbed in the P-type GaAs light-absorbing layer 12b and the effective difference in refractive index also in a direction parallel to a P-N junction. Then, the enhancement of the astigmatic difference can be prevented. |
| 公开日期 | 1992-07-30 |
| 申请日期 | 1985-08-14 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/88456]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | SHARP KK |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | OOTSUKA NAOTAKA. -. JP1992046476B2. 1992-07-30. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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