3族窒化物半導体レーザダイオードの製造方法
文献类型：专利
| 作者 | 小池 正好; 山崎 史郎; 手銭 雄太 |
| 发表日期 | 1999-05-28 |
| 专利号 | JP1999145566A |
| 著作权人 | 豊田合成株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 3族窒化物半導体レーザダイオードの製造方法 |
| 英文摘要 | 【課題】レーザダイオードの共振器端面の表面の平坦性を向上させ、端面での光反射率を向上させる。 【解決手段】基板1上に3族窒化物半導体から成る複数の層2〜9を形成する。MQW構造の活性層6が片側のnガイド層5とnクラッド層4、他方側のpガイド層7とpクラッド層8とで挟まれている。共振器部分を残して他の部分をエッチングにより除去することで、共振器をメサ型に形成する。共振器のメサ型エッチングを共振器の端面の基板面に平行な幅Dが、電流が基板面に垂直に流れる共振器の本体部の幅Wに比べて長くなり、共振器が「I」字形状となるように行なう。共振器をメサエッチングで残す場合に、端面のエッジ部分が丸くエッチングされるが、この丸みは端面の中央部には現れない。これにより、実質上光の反射する端面の平面度が向上する。 |
| 公开日期 | 1999-05-28 |
| 申请日期 | 1997-11-07 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/88469]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 豊田合成株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 小池 正好,山崎 史郎,手銭 雄太. 3族窒化物半導体レーザダイオードの製造方法. JP1999145566A. 1999-05-28. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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