半導体レーザ装置の製造方法
文献类型：专利
| 作者 | 三浦 猛 |
| 发表日期 | 1994-03-04 |
| 专利号 | JP1994061582A |
| 著作权人 | MITSUBISHI ELECTRIC CORP |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体レーザ装置の製造方法 |
| 英文摘要 | 【目的】 リッジ導波路型の半導体レーザ装置のリッジ幅及びリッジ両サイドの上クラッド層厚の制御性を向上できる半導体レーザ装置の製造方法を得る。 【構成】 半絶縁基板15の第1の主面にドライエッチングによりストライプ状の溝40を形成し、この溝40内部にp型AlGaAs層4aを埋め込み結晶成長して、リッジ導波路型の半導体レーザ装置の光導波路を構成するリッジを形成するようにし、また、リッジ両サイドの上クラッド層の層厚(クラッド層残し厚)をp型AlGaAs層4bの結晶成長層厚により制御するようにした。 |
| 公开日期 | 1994-03-04 |
| 申请日期 | 1992-08-06 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/88470]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | MITSUBISHI ELECTRIC CORP |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 三浦 猛. 半導体レーザ装置の製造方法. JP1994061582A. 1994-03-04. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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