半導体レーザ装置
文献类型：专利
| 作者 | 近藤 真人; 穴山 親志 |
| 发表日期 | 1995-05-23 |
| 专利号 | JP1995135374A |
| 著作权人 | FUJITSU LTD |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体レーザ装置 |
| 英文摘要 | 【目的】 半導体レーザ装置に関し、簡単な手段で、半導体レーザ装置に於ける水平横モード特性を向上させ、また、容易にクランク型窓構造の導入を可能にしてCODレベルを向上させようとする。 【構成】 (100)面の方向に延在するV型状の溝をもったn-GaAs基板21と、基板21上に形成されてV字型の歪み量子井戸活性層26とp-(Al0.7 Ga0.3 )0.5 In0.5 Pクラッド層28及び30とを含むダブル·ヘテロ構造とを備え、クラッド層28と30内には同時導入のZnとSeのうちSeが(100)面に集まって得られるn型部分29A及びZnが集まってV型状の溝上に得られるp型部分29Bで構成されたZn及びSe同時ドープ(Al0.7 Ga0.3 )0.5 In0.5 P電流狭窄層29が介在し、電流狭窄層29の電流路下方にV字型の歪み量子井戸活性層26の発光領域である底部分が位置する。 |
| 公开日期 | 1995-05-23 |
| 申请日期 | 1993-11-11 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/88472]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | FUJITSU LTD |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 近藤 真人,穴山 親志. 半導体レーザ装置. JP1995135374A. 1995-05-23. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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