3-5族光半導体素子および3-5族光半導体集積素子
文献类型：专利
| 作者 | 辻 正芳 |
| 发表日期 | 1997-05-02 |
| 专利号 | JP1997116233A |
| 著作权人 | 日本電気株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 3-5族光半導体素子および3-5族光半導体集積素子 |
| 英文摘要 | 【課題】 スペーサ層を設けることなく急峻なドーピングプロファイルの得られる有機金属気相成長法により形成された3-5族光半導体素子を提供する。 【解決手段】 有機金属気相成長によって素子を作製する際のp領域のドーピング材料としてビスエチルシクロペンタジエニルマグネシウム((C5 H4 C2 H5 )2 Mg)を用いる。これにより、固層拡散の程度が大幅に低減されスペーサ層を省略することができる。また、メモリー効果がほとんど現れないので、所望のドーピングプロファイルを有する光半導体素子を有機金属気相成長法によって作製することができる。 |
| 公开日期 | 1997-05-02 |
| 申请日期 | 1995-10-24 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/88490]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 日本電気株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 辻 正芳. 3-5族光半導体素子および3-5族光半導体集積素子. JP1997116233A. 1997-05-02. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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