半導体レーザ及びその製造方法
文献类型：专利
| 作者 | 立岡 靖晃; 久 義浩; 森 健三 |
| 发表日期 | 2009-03-19 |
| 专利号 | JP2009059792A |
| 著作权人 | MITSUBISHI ELECTRIC CORP |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体レーザ及びその製造方法 |
| 英文摘要 | 【課題】放熱性を悪化させることなく、ジャンクションダウン組み立てによって偏光特性が変化するのを防ぐことができる半導体レーザ及びその製造方法を得る。 【解決手段】半導体基板11上に、2つの光導波路13,14を持つレーザ部12が形成されている。そして、光導波路13,14同士の間の光導波路が存在しない領域においてチップ端面に凹部15が形成されている。これにより、ジャンクションダウン組み立てした場合に、隣接する光導波路の半田接合部からそれぞれの光導波路13,14のチップ端面にかかる応力を緩和することができる。 【選択図】図1 |
| 公开日期 | 2009-03-19 |
| 申请日期 | 2007-08-30 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/88492]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | MITSUBISHI ELECTRIC CORP |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 立岡 靖晃,久 義浩,森 健三. 半導体レーザ及びその製造方法. JP2009059792A. 2009-03-19. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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