半導体装置の製造方法および半導体装置
文献类型：专利
| 作者 | 武政 敬三 |
| 发表日期 | 2000-10-13 |
| 专利号 | JP2000286508A |
| 著作权人 | OKI ELECTRIC IND CO LTD |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体装置の製造方法および半導体装置 |
| 英文摘要 | 【課題】 キャリア注入効率が向上し高温動作に適し製造容易な半導体装置の製造方法及び半導体装置を提供する。 【解決手段】 半導体レーザ100は,光導波路120を備えている。光導波路120は,下部クラッド層130とコア層140と第1上部クラッド層150と第2上部クラッド層160とが順次積層された構成となっている。かかる光導波路120では,第1上部クラッド層150とコア層140とを含むチャネル部120aが形成されており,該チャネル部120aの側方は,下部埋め込み層180と上部埋め込み層190とにより埋め込まれている。コア層140は,下部クラッド層130側から,InGaAsPからなる下部SCH層141とホール停止層143とAlInGaAsからなる活性層145と電子停止層147とInGaAsPからなる上部SCH層149とが順次積層された構成となっている。かかる半導体レーザ100では,チャネル部120aのAl組成比率が小さいために,チャネル部120a側面のAl自然酸化膜の生成が抑制される。 |
| 公开日期 | 2000-10-13 |
| 申请日期 | 1999-03-29 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/88500]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | OKI ELECTRIC IND CO LTD |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 武政 敬三. 半導体装置の製造方法および半導体装置. JP2000286508A. 2000-10-13. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
浏览0
下载0
收藏0
其他版本
除非特别说明，本系统中所有内容都受版权保护，并保留所有权利。