半導体素子および半導体発光素子ならびに半導体受光素子
文献类型：专利
| 作者 | 冨谷 茂隆; 喜嶋 悟; 奥山 浩之; 谷口 理; 塚本 弘範 |
| 发表日期 | 2000-01-21 |
| 专利号 | JP2000022276A |
| 著作权人 | SONY CORP |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体素子および半導体発光素子ならびに半導体受光素子 |
| 英文摘要 | 【課題】 p側電極とのコンタクト構造を改善することにより、動作電圧を低下させることができる半導体発光素子を提供する。 【解決手段】 n型基板の上にn型クラッド層,第1のガイド層,活性層,第2のガイド層,p型クラッド層,ZnSSeキャップ層,ZnSeキャップ層19,組成傾斜超格子層20および低欠陥コンタクト層21を順次積層する。組成傾斜超格子層20はp型ZnTe層20a,20c,20e,20g,20iとp型ZnSe層20b,20d,20f,20h,20jとを交互に積層して形成する。p型ZnTe層20a,20c,20e,20g,20iの厚さは低欠陥コンタクト層21側を厚くする。低欠陥コンタクト層21の厚さは5nm以下とする。格子歪みが緩和され、低欠陥コンタクト層21の欠陥密度が低くなるため、通電直後における動作電圧の上昇が抑制され、動作電圧が低くなる。 |
| 公开日期 | 2000-01-21 |
| 申请日期 | 1998-06-29 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/88520]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | SONY CORP |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 冨谷 茂隆,喜嶋 悟,奥山 浩之,等. 半導体素子および半導体発光素子ならびに半導体受光素子. JP2000022276A. 2000-01-21. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
浏览0
下载0
收藏0
其他版本
除非特别说明，本系统中所有内容都受版权保护，并保留所有权利。