半導体光変調器の作製方法
文献类型：专利
| 作者 | 北村 昌太郎 |
| 发表日期 | 2000-05-26 |
| 专利号 | JP2000147443A |
| 著作权人 | 日本電気株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体光変調器の作製方法 |
| 英文摘要 | 【課題】 エッチングに代わる手法で、メサストライプを形成するようにした、半導体光変調器の作製方法を提供する。 【解決手段】 半導体光変調器の本作製方法は、選択MOVEPE法により、半導体基板10上に、光吸収層16を含む化合物半導体層を積層してメサストライプ状の化合物半導体積層構造19を形成するメサストライプ形成工程と、基板全面にマスク層を成膜し、パターニングしてメサストライプの上面にマスク20を形成する工程と、選択MOVEPE法により、メサストライプの上面を露出させてメサストライプの側面を化合物半導体層22で埋め込む工程と、マスクを除去した後、メサストライプ上に埋め込みクラッド層を形成する工程とを少なくとも有する。 |
| 公开日期 | 2000-05-26 |
| 申请日期 | 1998-11-11 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/88521]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 日本電気株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 北村 昌太郎. 半導体光変調器の作製方法. JP2000147443A. 2000-05-26. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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