光導波路構造とこの光導波路構造を用いた半導体レーザ、変調器及び集積型半導体レーザ装置
文献类型：专利
| 作者 | 鈴木 大輔; 木村 達也 |
| 发表日期 | 1998-01-23 |
| 专利号 | JP1998022579A |
| 著作权人 | 三菱電機株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 光導波路構造とこの光導波路構造を用いた半導体レーザ、変調器及び集積型半導体レーザ装置 |
| 英文摘要 | 【課題】 変調器付レーザにおいて光導波路のp型クラッド層のドーパントをZnより拡散係数の小さな元素に変更すると共にこの光導波路の両側面に設けた高抵抗埋込層にこのp型ドーパントが拡散し難いように構成することにより、高効率で応答性の高い変調器付レーザを提供する。 【解決手段】 変調器付レーザの光導波路構造を、n-InPからなる下クラッド層60と多重量子井戸層61と回折格子64を埋込んだBeドープまたはMgドープInPからなる上クラッド層63とを有する光導波路67及びこの光導波路67の両側面の表面上に設けたアンドープAlInAsの高抵抗埋込層66を含むように構成した。 |
| 公开日期 | 1998-01-23 |
| 申请日期 | 1996-07-03 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/88527]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 三菱電機株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 鈴木 大輔,木村 達也. 光導波路構造とこの光導波路構造を用いた半導体レーザ、変調器及び集積型半導体レーザ装置. JP1998022579A. 1998-01-23. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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