半導体レーザ素子
文献类型：专利
| 作者 | 内田 陽三; 中島 健二; 口野 啓史; 河本 清時; 中西 寿美代 |
| 发表日期 | 2007-04-19 |
| 专利号 | JP2007103403A |
| 著作权人 | SANYO ELECTRIC CO LTD |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体レーザ素子 |
| 英文摘要 | 【課題】出射光の遠視野像の水平広がり角を広げ、遠視野像におけるアスペクト比を小さくし、レーザ光を集光しやすい半導体レーザ素子を提供することである。 【解決手段】半導体レーザ素子は、活性層14上に順にp型クラッド層15とエッチングストッパ層16とリッジ1とを有し、更にリッジ1の両側に順に電流ブロック層17と電流ブロック層18とを有し、少なくともリッジ1の両側面の電流ブロック層17が除去されて空洞部22となっている構成とする。この空洞部22は、電流ブロック層18形成後に電流ブロック層17の不要部分がエッチングにより除去されることにより形成される。 【選択図】図2 |
| 公开日期 | 2007-04-19 |
| 申请日期 | 2005-09-30 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/88529]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | SANYO ELECTRIC CO LTD |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 内田 陽三,中島 健二,口野 啓史,等. 半導体レーザ素子. JP2007103403A. 2007-04-19. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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