歪量子井戸半導体レーザの気相成長方法
文献类型：专利
| 作者 | 深谷 一夫; 石川 信 |
| 发表日期 | 1995-02-14 |
| 专利号 | JP1995045909A |
| 著作权人 | 日本電気株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 歪量子井戸半導体レーザの気相成長方法 |
| 英文摘要 | 【目的】 高歩留まりで安定動作する信頼性の高いnGaAs歪量子井戸半導体レーザを製造する。 【構成】 常圧MOVPE装置を用いてSiドープGaAs基板7上にSiドープAl0 . 4 Ga0 . 6 Asクラッド層8を成長温度760℃で気相エピタキシャル成長させる。次にAl0 . 2 Ga0 . 8 As光ガイド層9の成長中に成長温度を降下させ、成長温度610℃·アルシン分圧0.3Torrのもとで2重歪量子井戸活性層構造10(GaAsバリア層/In0 . 2 4 Ga0 . 7 6 As歪量子井戸/GaAsバリア層/In0 . 2 4 Ga0 . 7 6As歪量井戸/GaAsバリア層)を成長する。次に、成長温度を610℃に保ったままAl0 . 2 Ga0 . 8 As光ガイド層11、MgドープAl0 . 4 Ga0 . 6 Asクラッド層12、MgドープGaAsキャップ層13を順次成長する。 |
| 公开日期 | 1995-02-14 |
| 申请日期 | 1993-07-29 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/88534]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 日本電気株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 深谷 一夫,石川 信. 歪量子井戸半導体レーザの気相成長方法. JP1995045909A. 1995-02-14. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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