半導体素子の製造方法、半導体素子の製造装置および半導体素子
文献类型：专利
| 作者 | 平松 鉄夫; 米久保 直樹 |
| 发表日期 | 2006-10-19 |
| 专利号 | JP2006287155A |
| 著作权人 | セイコーエプソン株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体素子の製造方法、半導体素子の製造装置および半導体素子 |
| 英文摘要 | 【課題】 スピンコートを用いて薄膜を形成するときに、その薄膜の厚さの均一度を向上させることができる半導体素子の製造方法、半導体素子の製造装置および半導体素子を提供する。 【解決手段】 基板にスピンコート材料を載せ、その基板を回転させることにより、基板上に薄膜を形成するスピンコート工程を有する半導体素子の製造方法であって、前記スピンコート工程は、基板の回転の開始からスピンコート工程の終了までの間に、基板について、前後の回転数よりも少なくとも低速回転の状態とする低速期間を有することを特徴とする。 【選択図】図1 |
| 公开日期 | 2006-10-19 |
| 申请日期 | 2005-04-05 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/88540]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | セイコーエプソン株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 平松 鉄夫,米久保 直樹. 半導体素子の製造方法、半導体素子の製造装置および半導体素子. JP2006287155A. 2006-10-19. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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