半導体レーザ及びその製造方法
文献类型：专利
| 作者 | 細井 浩行; 牧田 幸治; 鹿嶋 孝之 |
| 发表日期 | 2006-10-19 |
| 专利号 | JP2006286761A |
| 著作权人 | パナソニック株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体レーザ及びその製造方法 |
| 英文摘要 | 【課題】記録型光ディスクなどへの適用が可能である、高キンク光レベルかつ低動作電流の高出力半導体レーザとその製造方法を提供する。 【解決手段】n型GaAs基板102上に、n型クラッド層103、GaAs系活性層104、p型第1クラッド層105、p型AlInPエッチングストップ層106、p型(Al0.5Ga0.5)0.5In0.5P第2クラッド層108、p型中間層109、p型キャップ層110を順次形成する。p型キャップ層110上にSiO2ストライプ113を形成した後、これをマスクとして、p型第2クラッド層108、p型中間層109、p型キャップ層110を、p型エッチングストップ層106に至るまでSiCl4とArの混合ガスを用いて誘導結合型プラズマによるドライエッチングし、リッジ型ストライプを形成する。 【選択図】図1 |
| 公开日期 | 2006-10-19 |
| 申请日期 | 2005-03-31 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/88542]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | パナソニック株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 細井 浩行,牧田 幸治,鹿嶋 孝之. 半導体レーザ及びその製造方法. JP2006286761A. 2006-10-19. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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