光導波路の製造方法及び光導波路
文献类型：专利
| 作者 | 植竹 理人; 山本 剛之 |
| 发表日期 | 2010-04-30 |
| 专利号 | JP2010097174A |
| 著作权人 | 富士通株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 光導波路の製造方法及び光導波路 |
| 英文摘要 | 【課題】 埋込導波路の両側に、埋込層を選択成長させる際に、マスクで覆っているハイメサ導波路領域に向かって被り成長が生じる。 【解決手段】 基板上にメサを形成する。メサを長手方向に関して区分する第1の境界位置を基準として、一方の第1の向きに向かって延びるメサの上面と側面を覆うとともに、第1の境界位置からメサの側方に延びる境界線を一部の縁とし、境界線上の縁よりも第1の向きに広がる領域の基板の上面の少なくとも一部を覆う選択成長用マスクパターンを形成する。選択成長用マスクパターンをマスクとして用い、第1の境界位置を基準として第1の向きとは反対の第2の向きに向かって延びるメサの側面から側方に向かって成長し、成長の前面が斜面になる条件で埋込層を選択成長させる。埋込層の成長の先端が、境界線に沿う選択成長用マスクパターンの縁の先端まで達しない時点で埋込層の成長を停止させる。 【選択図】図10 |
| 公开日期 | 2010-04-30 |
| 申请日期 | 2009-03-27 |
| 状态 | 授权 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/88547]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 富士通株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 植竹 理人,山本 剛之. 光導波路の製造方法及び光導波路. JP2010097174A. 2010-04-30. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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