半導体レーザ装置
文献类型：专利
| 作者 | 廣中 美佐夫; 太田 洋一郎 |
| 发表日期 | 1995-06-16 |
| 专利号 | JP1995154031A |
| 著作权人 | 三菱電機株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体レーザ装置 |
| 英文摘要 | 【目的】 高温動作電流を小さくし、高信頼性を有し、低消費電力が得られる半導体レーザ装置を提供する。 【構成】 活性層3上に配置される上クラッド層を、1×1018〜1×1020cm-3の高いキャリア濃度、及び0.01〜0.10μmの薄い厚さtA をもつ第1の上クラッド層4と、1×1015〜1×1017cm-3の低いキャリア濃度と、0.3μmの厚みtB を持つ第2の上クラッド層20との2層から構成した。 【効果】 活性層3近傍の第1上クラッド層4のキャリア濃度が高いため、高温時の少数キャリアのオーバーフローが小さく、かつ該層4の層厚が薄いため、リーク電流も小さい。また、トータルの上クラッド層厚(tA +tB )が厚いため、吸収損失が小さく、高温動作電流値を小さくできる。 |
| 公开日期 | 1995-06-16 |
| 申请日期 | 1993-07-06 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/88551]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 三菱電機株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 廣中 美佐夫,太田 洋一郎. 半導体レーザ装置. JP1995154031A. 1995-06-16. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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