屈折率導波型半導体レーザ及びその製造方法
文献类型：专利
| 作者 | 浜口 雄一 |
| 发表日期 | 1999-05-28 |
| 专利号 | JP1999145551A |
| 著作权人 | ソニー株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 屈折率導波型半導体レーザ及びその製造方法 |
| 英文摘要 | 【課題】リッジ構造を有するAlGaAs系の屈折率導波型半導体レーザにおいて、リッジ内に、例えば、Al組成の小さな高屈折率層を設けなくても、屈折率導波を可能にする。 【解決手段】活性層3上にpAlGaAsクラッド層4及びコンタクト層6を形成した後、エッチングによりリッジ部Rを形成する。次いで、リン(P)拡散を行って、クラッド層4の表面部分に、AlGaP若しくはAlGaAsPからなる屈折率の小さな屈折率ガイド層9を形成する。しかる後、電流狭窄層7を結晶成長させて、リッジ部Rを埋め込む。 【効果】屈折率ガイド層9により屈折率導波が可能となる上、屈折率ガイド層9が電流狭窄効果も示すので、電流狭窄層7のn型ドーパントの濃度をそれ程高くしなくても済むようになる。 |
| 公开日期 | 1999-05-28 |
| 申请日期 | 1997-11-07 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/88567]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | ソニー株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 浜口 雄一. 屈折率導波型半導体レーザ及びその製造方法. JP1999145551A. 1999-05-28. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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