半導体レーザ素子の製造方法
文献类型：专利
| 作者 | 角田 篤勇; ▲高▼橋 向星; 細田 昌宏; 菅 康夫; 谷 健太郎 |
| 发表日期 | 1999-06-25 |
| 专利号 | JP2944312B2 |
| 著作权人 | シャープ株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 授权发明 |
| 其他题名 | 半導体レーザ素子の製造方法 |
| 英文摘要 | 【目的】 半導体レーザ素子を、いわゆる2回成長かつ自己整合で、エッチングストップのために誘電体膜を設けることなく、容易に、平坦な表面を有する状態に作製する。
【構成】 第1導電型半導体基板1上に、第1導電型クラッド層4と、活性層5と、第2導電型クラッド層6,8と、第2導電型コンタクト層10と、(AlxGa1-x)Asエッチングストップ層31と、(AlyGa1-y)Asキャップ層32を順に成長させる(y |
| 公开日期 | 1999-09-06 |
| 申请日期 | 1992-07-03 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/88571]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | シャープ株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 角田 篤勇,▲高▼橋 向星,細田 昌宏,等. 半導体レーザ素子の製造方法. JP2944312B2. 1999-06-25. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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