半導体レーザ装置及びその製造方法
文献类型：专利
| 作者 | 能米 雅信; 古川 秀利; 萬濃 正也; 福久 敏哉 |
| 发表日期 | 2006-10-19 |
| 专利号 | JP2006287057A |
| 著作权人 | MATSUSHITA ELECTRIC IND CO LTD |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体レーザ装置及びその製造方法 |
| 英文摘要 | 【課題】 赤外半導体レーザ素子の特性劣化を防ぐ赤外/赤の2波長半導体レーザ装置及びその製造方法を提供する。 【解決手段】 n-GaAs基板101と、n-GaAs基板101の上に設けられたn-GaAsバッファ層102と、n-GaAsバッファ層102の上に設けられた赤外色用半導体レーザ素子部10と、n-GaAsバッファ層102の上に設けられた赤色用半導体レーザ素子部20とを備え、赤外色用半導体レーザ素子部10は、n-GaAsバッファ層102の上に設けられたn-(Al0.7Ga0.3)0.5In0.5Pクラッド層103と、活性層104と、p-(Al0.7Ga0.3)0.5In0.5Pクラッド層105とを有し、赤色用半導体レーザ素子部20は、n-GaAsバッファ層102の上に設けられたn-(Al0.7Ga0.3)0.5In0.5Pクラッド層111と、活性層112と、p-(Al0.7Ga0.3)0.5In0.5Pクラッド層113とを有する。 【選択図】図2 |
| 公开日期 | 2006-10-19 |
| 申请日期 | 2005-04-01 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/88579]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | MATSUSHITA ELECTRIC IND CO LTD |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 能米 雅信,古川 秀利,萬濃 正也,等. 半導体レーザ装置及びその製造方法. JP2006287057A. 2006-10-19. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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